Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3

RS kataloški broj:: 178-3694robna marka: Vishay SiliconixProizvođački broj:: SISC06DN-T1-GE3
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

46.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38.5 nC @ 10 V

Width

3.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.7V

Height

1.07mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Dual N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin 1212 Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

1212

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

46.3 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3.15mm

Typical Gate Charge @ Vgs

38.5 nC @ 10 V

Width

3.15mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

0.7V

Height

1.07mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više