Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
263 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,47
Each (In a Pack of 50) (bez PDV-a)
€ 0,55
Each (In a Pack of 50) (s PDV-om)
Standard
50
€ 0,47
Each (In a Pack of 50) (bez PDV-a)
€ 0,55
Each (In a Pack of 50) (s PDV-om)
Standard
50
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,47 | € 23,50 |
| 500 - 1200 | € 0,35 | € 17,50 |
| 1250 - 2450 | € 0,31 | € 15,50 |
| 2500 - 4950 | € 0,28 | € 14,00 |
| 5000+ | € 0,27 | € 13,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
263 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 8 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda