N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SOIC Vishay SI4840BDY-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 2,70
komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 3,159
komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
5
€ 2,70
komadno (isporučuje se u namotaju) (bez PDV-a)
€ 3,159
komadno (isporučuje se u namotaju) (s PDV-om)
5
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,70 | € 13,50 |
| 50 - 120 | € 2,60 | € 13,00 |
| 125 - 245 | € 2,45 | € 12,25 |
| 250 - 495 | € 2,40 | € 12,00 |
| 500+ | € 2,30 | € 11,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
18.5 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.55mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda