N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-247AC Vishay SiHG33N60EF-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
EF Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
98 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
103 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
20.82mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 9,30
Each (bez PDV-a)
€ 10,88
Each (s PDV-om)
Standard
1
€ 9,30
Each (bez PDV-a)
€ 10,88
Each (s PDV-om)
Standard
1
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 9,30 |
| 10 - 24 | € 8,90 |
| 25 - 49 | € 8,35 |
| 50 - 99 | € 8,20 |
| 100+ | € 8,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
EF Series
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
98 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
103 nC @ 10 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
20.82mm
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda