Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A, 143 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3FDC
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Series
TrenchFET® Gen IV
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A, 143 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAIR 3 x 3FDC
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Series
TrenchFET® Gen IV
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda