onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C

RS kataloški broj:: 181-1859robna marka: onsemiProizvođački broj:: FDP4D5N10C
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.67mm

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

15.21mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

KM 7.009,59

KM 8,762 Each (In a Tube of 800) (bez PDV-a)

KM 8.201,22

KM 10,252 Each (In a Tube of 800) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C

800

Dostupno u više komada 800
800KM 7.009,59
1600KM 14.019,17
2400KM 21.028,76
3200KM 28.038,35
4000KM 35.047,94
4800KM 42.057,52
5600KM 49.067,11
6400KM 56.076,70
7200KM 63.086,28
8000KM 70.095,87
8800KM 77.105,46
9600KM 84.115,05
10400KM 91.124,63
11200KM 98.134,22
12000KM 105.143,81

KM 7.009,59

KM 8,762 Each (In a Tube of 800) (bez PDV-a)

KM 8.201,22

KM 10,252 Each (In a Tube of 800) (s PDV-om)

onsemi N-Channel MOSFET, 128 A, 100 V, 3-Pin TO-220 FDP4D5N10C

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

800

Dostupno u više komada 800
800KM 7.009,59
1600KM 14.019,17
2400KM 21.028,76
3200KM 28.038,35
4000KM 35.047,94
4800KM 42.057,52
5600KM 49.067,11
6400KM 56.076,70
7200KM 63.086,28
8000KM 70.095,87
8800KM 77.105,46
9600KM 84.115,05
10400KM 91.124,63
11200KM 98.134,22
12000KM 105.143,81

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

128 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

4.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

4.67mm

Length

10.36mm

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

15.21mm

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više