onsemi FGH40N60SMDF IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247AB, Through Hole

RS kataloški broj:: 739-4942Probna marka: onsemiProizvođački broj:: FGH40N60SMDF
brand-logo
Prikaži sve u IGBTs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

349 W

Package Type

TO-247AB

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Detalji o proizvodu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 8,95

komadno (isporučuje se u cijevi) (bez PDV-a)

€ 10,47

komadno (isporučuje se u cijevi) (s PDV-om)

onsemi FGH40N60SMDF IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247AB, Through Hole
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 8,95
2€ 17,90
3€ 26,85
4€ 35,80
5€ 44,75
6€ 53,70
7€ 62,65
8€ 71,60
9€ 80,55
10€ 78,00
11€ 85,80
12€ 93,60
13€ 101,40
14€ 109,20
15€ 117,00

€ 8,95

komadno (isporučuje se u cijevi) (bez PDV-a)

€ 10,47

komadno (isporučuje se u cijevi) (s PDV-om)

onsemi FGH40N60SMDF IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-247AB, Through Hole
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (cijev)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 1.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 1.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

1

Dostupno u više komada 1
1€ 8,95
2€ 17,90
3€ 26,85
4€ 35,80
5€ 44,75
6€ 53,70
7€ 62,65
8€ 71,60
9€ 80,55
10€ 78,00
11€ 85,80
12€ 93,60
13€ 101,40
14€ 109,20
15€ 117,00

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijena
1 - 9€ 8,95
10 - 99€ 7,80
100 - 499€ 7,05
500 - 999€ 6,45
1000+€ 6,10

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

349 W

Package Type

TO-247AB

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.6 x 4.7 x 20.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Detalji o proizvodu

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više