N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Height
15mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 1,61
Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)
€ 1,884
Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)
5
€ 1,61
Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)
€ 1,884
Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)
5
Kupujte na veliko
| količina | Jedinična cijena | Po pakovanje |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,61 | € 8,05 |
| 25+ | € 1,06 | € 5,30 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9.7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Series
DTMOSIV
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.7V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Width
4.5mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Height
15mm
Forward Diode Voltage
1.7V
Zemlja podrijetla
Japan
Detalji o proizvodu
MOSFET Transistors, Toshiba
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda