N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Toshiba TK14G65W,RQ(S

RS kataloški broj:: 133-2797robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK14G65W,RQ(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

DTMOSIV

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

8.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 10 V

Height

4.46mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 32,55

KM 6,51 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 38,08

KM 7,617 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Toshiba TK14G65W,RQ(S

5

Dostupno u više komada 5
5KM 32,55
10KM 65,10
15KM 97,65
20KM 130,21
25KM 143,29
30KM 171,95
35KM 200,61
40KM 229,27
45KM 257,93
50KM 285,50
55KM 314,05
60KM 342,60
65KM 371,15
70KM 399,70
75KM 428,25

KM 32,55

KM 6,51 Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

KM 38,08

KM 7,617 Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 13.7 A, 650 V, 3-Pin D2PAK Toshiba TK14G65W,RQ(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5KM 32,55
10KM 65,10
15KM 97,65
20KM 130,21
25KM 143,29
30KM 171,95
35KM 200,61
40KM 229,27
45KM 257,93
50KM 285,50
55KM 314,05
60KM 342,60
65KM 371,15
70KM 399,70
75KM 428,25

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 20KM 6,51KM 32,55
25 - 45KM 5,732KM 28,66
50 - 245KM 5,71KM 28,55
250+KM 5,688KM 28,44

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.7 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

DTMOSIV

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

250 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

8.8mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

35 nC @ 10 V

Height

4.46mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više