N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

RS kataloški broj:: 125-0541robna marka: ToshibaProizvođački broj:: TK16E60W5,S1VX(S
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 1,85

Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

€ 2,164

Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

5

Dostupno u više komada 5
5€ 9,25
10€ 18,50
15€ 27,75
20€ 37,00
25€ 28,25
30€ 33,90
35€ 39,55
40€ 45,20
45€ 50,85
50€ 54,00
55€ 59,40
60€ 64,80
65€ 70,20
70€ 75,60
75€ 81,00

€ 1,85

Each (In a Pack of 5) (bez PDV-a)

€ 2,164

Each (In a Pack of 5) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

5

Dostupno u više komada 5
5€ 9,25
10€ 18,50
15€ 27,75
20€ 37,00
25€ 28,25
30€ 33,90
35€ 39,55
40€ 45,20
45€ 50,85
50€ 54,00
55€ 59,40
60€ 64,80
65€ 70,20
70€ 75,60
75€ 81,00

Kupujte na veliko

količinaJedinična cijenaPo pakovanje
5 - 20€ 1,85€ 9,25
25 - 45€ 1,13€ 5,65
50+€ 1,08€ 5,40

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Zemlja podrijetla

Japan

Detalji o proizvodu

MOSFET Transistors, Toshiba

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više