Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Automotive Standard
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 1.680,00
€ 0,56 komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)
€ 1.965,60
€ 0,655 komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)
3000
€ 1.680,00
€ 0,56 komadno (u namotaju od 3000) (bez PDV-a)
€ 1.965,60
€ 0,655 komadno (u namotaju od 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Automotive Standard
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda