Diodes Inc P-Channel MOSFET, 11 A, 20 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMP2008UFG-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 116,00
€ 0,29 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 145,00
€ 0,362 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
400
€ 116,00
€ 0,29 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 145,00
€ 0,362 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
400
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 400 - 975 | € 0,29 | € 7,25 |
| 1000+ | € 0,23 | € 5,75 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
41 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
72 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda