Wolfspeed SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 900 V, 7-Pin D2PAK C3M0120090J
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.12mm
Length
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 4/15V
Transistor Material
SiC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.57mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 30,34
€ 15,17 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)
€ 37,92
€ 18,962 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)
2
€ 30,34
€ 15,17 komadno (u pakiranju od 2) (bez PDV-a)
€ 37,92
€ 18,962 komadno (u pakiranju od 2) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 15,17 | € 30,34 |
| 20+ | € 15,10 | € 30,20 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Number of Elements per Chip
1
Width
9.12mm
Length
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 4/15V
Transistor Material
SiC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
4.57mm
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda