Diodes Inc N-Channel MOSFET, 115 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002W-7-F
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 60,00
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 75,00
€ 0,125 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
600
€ 60,00
€ 0,10 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 75,00
€ 0,125 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
600
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po kolut |
|---|---|---|
| 600 - 1450 | € 0,10 | € 5,00 |
| 1500+ | € 0,09 | € 4,50 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda