Dual N/P-Channel MOSFET, 110 mA, 130 mA, 50 V, 60 V, 6-Pin SOT-363 Diodes Inc BSS8402DW-7-F
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
110 mA, 130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V, 60 V
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω, 13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)
Standard
25
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
110 mA, 130 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V, 60 V
Package Type
SOT-363 (SC-88)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω, 13.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Detalji o proizvodu
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda