Diodes Inc N-Channel MOSFET, 630 mA, 20 V, 3-Pin SOT-523 DMG1012T-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-523 (SC-89)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.737 nC @ 4.5 V
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 6,00
€ 0,06 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 7,50
€ 0,075 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Standard
100
€ 6,00
€ 0,06 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 7,50
€ 0,075 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
630 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-523 (SC-89)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
700 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
0.737 nC @ 4.5 V
Width
0.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda