Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.5 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMG6968U-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
36 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 6,00
€ 0,24 komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)
€ 7,50
€ 0,30 komadno (u pakiranju od 25) (s PDV-om)
Standard
25
€ 6,00
€ 0,24 komadno (u pakiranju od 25) (bez PDV-a)
€ 7,50
€ 0,30 komadno (u pakiranju od 25) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
36 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda