Diodes Inc N-Channel MOSFET, 10.5 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMG7430LFG-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 5,50
€ 0,22 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 6,88
€ 0,275 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
€ 5,50
€ 0,22 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 6,88
€ 0,275 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerDI3333-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26.7 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.85mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda