Diodes Inc N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-346
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 19,50
€ 0,39 komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
€ 24,38
€ 0,488 komadno (u pakiranju od 50) (s PDV-om)
Standard
50
€ 19,50
€ 0,39 komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
€ 24,38
€ 0,488 komadno (u pakiranju od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-346
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.3mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda