Diodes Inc N-Channel MOSFET, 600 mA, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2005K-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 14,00
€ 0,28 komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
€ 17,50
€ 0,35 komadno (u pakiranju od 50) (s PDV-om)
Standard
50
€ 14,00
€ 0,28 komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
€ 17,50
€ 0,35 komadno (u pakiranju od 50) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,28 | € 14,00 |
| 500 - 1200 | € 0,16 | € 8,00 |
| 1250+ | € 0,14 | € 7,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda