Diodes Inc N-Channel MOSFET, 6.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 DMN2041L-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 7,50
€ 0,15 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 9,38
€ 0,188 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Proizvodno pakiranje (kolut)
50
€ 7,50
€ 0,15 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
€ 9,38
€ 0,188 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
6.4 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
780 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
15.6 nC @ 10 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda