Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 280 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563 DMN5L06VAK-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
Standard
50
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 50) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
50
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
280 mA
Maximum Drain Source Voltage
50 V
Package Type
SOT-563
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
250 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-40 V, +40 V
Width
1.25mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
1.7mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda