Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 10,00
€ 0,10 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 12,50
€ 0,125 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Standard
100
€ 10,00
€ 0,10 komadno (u pakiranju od 100) (bez PDV-a)
€ 12,50
€ 0,125 komadno (u pakiranju od 100) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
100
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-363
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
8 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.87 nC @ 10 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda