Diodes Inc P-Channel MOSFET, 6.2 A, 20 V, 6-Pin U-DFN2020 DMP2066UFDE-7
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
U-DFN2020
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
2.03 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
2.05mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.58mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
U-DFN2020
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
2.03 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
2.05mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14.4 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.58mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda