Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET, 3.7 A, 40 V, 8-Pin SOIC DMP4047SSD-13
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
Standard
10
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 10) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
10
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
55 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda