Diodes Inc N-Channel MOSFET, 200 mA, 100 V, 3-Pin TO-92 ZVN3310A
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.77mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 11,40
€ 0,57 komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
€ 14,25
€ 0,712 komadno (u pakiranju od 20) (s PDV-om)
Standard
20
€ 11,40
€ 0,57 komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
€ 14,25
€ 0,712 komadno (u pakiranju od 20) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena | Po pakiranje |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 0,57 | € 11,40 |
| 40 - 180 | € 0,56 | € 11,20 |
| 200+ | € 0,55 | € 11,00 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
625 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
2.41mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.77mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
4.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V to 950V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda