Infineon AIM SiC N-Channel MOSFET, 31 A, 1200 V, 4-Pin PG-TO247-4 AIMZH120R080M1TXKSA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 17,04
€ 17,04 komadno (bez PDV-a)
€ 21,30
€ 21,30 komadno (s PDV-om)
1
€ 17,04
€ 17,04 komadno (bez PDV-a)
€ 21,30
€ 21,30 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 17,04 |
| 10 - 99 | € 15,55 |
| 100 - 499 | € 14,96 |
| 500 - 999 | € 14,43 |
| 1000+ | € 13,42 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
31 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
AIM
Package Type
PG-TO247-4
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Zemlja podrijetla
China
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda