Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Length
2.9mm
Height
0.9mm
Width
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 240,00
€ 0,08 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 300,00
€ 0,10 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 240,00
€ 0,08 Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 300,00
€ 0,10 Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
3000
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.01mA
Length
2.9mm
Height
0.9mm
Width
1.3mm
Maximum Power Dissipation
360 mW
Dimensions
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda