N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP295H6327XTSA1

RS kataloški broj:: 445-2269Probna marka: InfineonProizvođački broj:: BSP295
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Width

3.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalji o proizvodu

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 50,50

€ 1,01 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 63,12

€ 1,262 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP295H6327XTSA1
Odaberite vrstu pakiranja

Proizvodno pakiranje (kolut)

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 50
50€ 50,50
55€ 55,55
60€ 60,60
65€ 65,65
70€ 70,70
75€ 75,75
80€ 80,80
85€ 85,85
90€ 90,90
50€ 50,50
55€ 55,55
60€ 60,60
65€ 65,65
70€ 70,70
75€ 75,75

€ 50,50

€ 1,01 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 63,12

€ 1,262 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 1.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Infineon BSP295H6327XTSA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakiranja

Proizvodno pakiranje (kolut)

Odaberite vrstu pakiranja

Standard - each

Dostupno u više komada 5.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 5.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

50

Dostupno u više komada 50
50€ 50,50
55€ 55,55
60€ 60,60
65€ 65,65
70€ 70,70
75€ 75,75
80€ 80,80
85€ 85,85
90€ 90,90
50€ 50,50
55€ 55,55
60€ 60,60
65€ 65,65
70€ 70,70
75€ 75,75

Kupujte na veliko

količinajedinična cijenaPo kolut
50 - 120€ 1,01€ 5,05
125 - 245€ 0,98€ 4,90
250 - 495€ 0,95€ 4,75
500+€ 0,91€ 4,55

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.8 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.8V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.5mm

Width

3.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Height

1.6mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Detalji o proizvodu

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više