Infineon IKB30N65ES5ATMA1 IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
188 W
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 3,10
Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)
€ 3,875
Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)
1000
€ 3,10
Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)
€ 3,875
Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)
1000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonMaximum Continuous Collector Current
30 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20 V, ±30V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
188 W
Package Type
TO-263
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda