Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 Infineon IPB029N06NF2SATMA1
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 1,41
Each (On a Reel of 800) (bez PDV-a)
€ 1,762
Each (On a Reel of 800) (s PDV-om)
800
€ 1,41
Each (On a Reel of 800) (bez PDV-a)
€ 1,762
Each (On a Reel of 800) (s PDV-om)
800
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
PG-TO263-3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda