Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5859Probna marka: InfineonProizvođački broj:: IPB029N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 115,00

€ 2,30 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 143,75

€ 2,875 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1
Odaberite vrstu pakiranja

€ 115,00

€ 2,30 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

€ 143,75

€ 2,875 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

Infineon Dual SiC N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin PG-TO263-3 IPB029N06NF2SATMA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Odaberite vrstu pakiranja

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

količinajedinična cijenaPo kolut
50 - 120€ 2,30€ 11,50
125 - 245€ 2,25€ 11,25
250 - 495€ 2,15€ 10,75
500+€ 2,10€ 10,50

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO263-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više