Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

RS kataloški broj:: 218-3032robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPB120N06S4H1ATMA2
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.002 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 2.810,00

€ 2,81 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)

€ 3.512,50

€ 3,512 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

1000

Dostupno u više komada 1000
1000€ 2.810,00
2000€ 5.620,00
3000€ 8.430,00
4000€ 11.240,00
5000€ 14.050,00
6000€ 16.860,00
7000€ 19.670,00
8000€ 22.480,00
9000€ 25.290,00
10000€ 28.100,00
11000€ 30.910,00
12000€ 33.720,00
13000€ 36.530,00
14000€ 39.340,00
15000€ 42.150,00

€ 2.810,00

€ 2,81 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)

€ 3.512,50

€ 3,512 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin D2PAK IPB120N06S4H1ATMA2

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1000

Dostupno u više komada 1000
1000€ 2.810,00
2000€ 5.620,00
3000€ 8.430,00
4000€ 11.240,00
5000€ 14.050,00
6000€ 16.860,00
7000€ 19.670,00
8000€ 22.480,00
9000€ 25.290,00
10000€ 28.100,00
11000€ 30.910,00
12000€ 33.720,00
13000€ 36.530,00
14000€ 39.340,00
15000€ 42.150,00

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

120 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.002 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više