Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

RS kataloški broj:: 222-4655robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPB65R110CFDAATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO 263

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 4.310,00

€ 4,31 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)

€ 5.387,50

€ 5,388 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

1000

Dostupno u više komada 1000
1000€ 4.310,00
2000€ 8.620,00
3000€ 12.930,00
4000€ 17.240,00
5000€ 21.550,00
6000€ 25.860,00
7000€ 30.170,00
8000€ 34.480,00
9000€ 38.790,00
10000€ 43.100,00
11000€ 47.410,00
12000€ 51.720,00
13000€ 56.030,00
14000€ 60.340,00
15000€ 64.650,00

€ 4.310,00

€ 4,31 Each (On a Reel of 1000) (bez PDV-a)

€ 5.387,50

€ 5,388 Each (On a Reel of 1000) (s PDV-om)

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO 263 IPB65R110CFDAATMA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1000

Dostupno u više komada 1000
1000€ 4.310,00
2000€ 8.620,00
3000€ 12.930,00
4000€ 17.240,00
5000€ 21.550,00
6000€ 25.860,00
7000€ 30.170,00
8000€ 34.480,00
9000€ 38.790,00
10000€ 43.100,00
11000€ 47.410,00
12000€ 51.720,00
13000€ 56.030,00
14000€ 60.340,00
15000€ 64.650,00

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO 263

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više