Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5863robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD028N06NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

139 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 2,13

komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 2,662

komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Odaberite vrstu pakiranja

€ 2,13

komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 2,662

komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 139 A, 60 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD028N06NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakiranja

Kupujte na veliko

količinajedinična cijenaPo pakiranje
5 - 45€ 2,13€ 10,65
50 - 120€ 1,79€ 8,95
125 - 245€ 1,73€ 8,65
250 - 495€ 1,68€ 8,40
500+€ 1,34€ 6,70

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

139 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više