Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1

RS kataloški broj:: 262-5865robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD029N04NF2SATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

131 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 1,47

komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 1,838

komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Odaberite vrstu pakiranja

€ 1,47

komadno (u pakiranju od 5) (bez PDV-a)

€ 1,838

komadno (u pakiranju od 5) (s PDV-om)

Dual SiC N-Channel MOSFET, 131 A, 40 V, 3-Pin PG-TO252-3 Infineon IPD029N04NF2SATMA1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakiranja

Kupujte na veliko

količinajedinična cijenaPo pakiranje
5 - 45€ 1,47€ 7,35
50 - 120€ 1,33€ 6,65
125 - 245€ 1,31€ 6,55
250 - 495€ 1,26€ 6,30
500+€ 0,67€ 3,35

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

131 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

PG-TO252-3

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

SiC

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više