Infineon OptiMOS™-T N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD35N10S3L26ATMA1

RS kataloški broj:: 218-3042robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD35N10S3L26ATMA1
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™-T

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.026 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

€ 2.400,00

€ 0,96 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

€ 3.000,00

€ 1,20 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

Infineon OptiMOS™-T N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD35N10S3L26ATMA1

2500

Dostupno u više komada 2500
2500€ 2.400,00
5000€ 4.800,00
7500€ 7.200,00
10000€ 9.600,00
12500€ 12.000,00
15000€ 14.400,00
17500€ 16.800,00
20000€ 19.200,00
22500€ 21.600,00
25000€ 24.000,00
27500€ 26.400,00
30000€ 28.800,00
32500€ 31.200,00
35000€ 33.600,00
37500€ 36.000,00

€ 2.400,00

€ 0,96 Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

€ 3.000,00

€ 1,20 Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

Infineon OptiMOS™-T N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK IPD35N10S3L26ATMA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2500

Dostupno u više komada 2500
2500€ 2.400,00
5000€ 4.800,00
7500€ 7.200,00
10000€ 9.600,00
12500€ 12.000,00
15000€ 14.400,00
17500€ 16.800,00
20000€ 19.200,00
22500€ 21.600,00
25000€ 24.000,00
27500€ 26.400,00
30000€ 28.800,00
32500€ 31.200,00
35000€ 33.600,00
37500€ 36.000,00

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™-T

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.026 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više