N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

Name: N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1
Brand: Infineon
SKU: 2144395
Availability: LimitedAvailability

RS kataloški broj:: 214-4395robna marka: InfineonProizvođački broj:: IPD80R1K4CEATMA1

Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Number of Elements per Chip

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

€ 0,83

Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

€ 1,038

Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

2500

€ 0,83

Each (On a Reel of 2500) (bez PDV-a)

€ 1,038

Each (On a Reel of 2500) (s PDV-om)

N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD80R1K4CEATMA1

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

2500

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda

Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

Maximum Continuous Drain Current

3.9 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Series

CoolMOS™ CE

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

Maximum Drain Source Resistance

1.4 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

3.9V

Number of Elements per Chip