N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 2 + Tab-Pin D2PAK Infineon IRF3707ZSTRLPBF

RS kataloški broj:: 162-3277robna marka: InfineonProizvođački broj:: IRF3707ZSTRLPBF
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

59 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

D2PAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

2 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

12.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

9.65mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.7 nC @ 4.5 V

Height

4.83mm

Series

IRF3707ZS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 2 + Tab-Pin D2PAK Infineon IRF3707ZSTRLPBF

800

Dostupno u više komada 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 59 A, 30 V, 2 + Tab-Pin D2PAK Infineon IRF3707ZSTRLPBF
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

800

Dostupno u više komada 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

59 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

D2PAK

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

2 + Tab

Maximum Drain Source Resistance

12.5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.25V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Width

9.65mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9.7 nC @ 4.5 V

Height

4.83mm

Series

IRF3707ZS

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1V

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više