IXYS IXGH30N120B3D1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Detalji o proizvodu
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
€ 19,72
€ 19,72 komadno (bez PDV-a)
€ 24,65
€ 24,65 komadno (s PDV-om)
1
€ 19,72
€ 19,72 komadno (bez PDV-a)
€ 24,65
€ 24,65 komadno (s PDV-om)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
1
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
| količina | jedinična cijena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 19,72 |
| 10+ | € 17,42 |
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
IXYSMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Detalji o proizvodu
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda