MagnaChip N-Channel MOSFET, 17 A, 30 V, 8-Pin SOIC MDS1525URH
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
25
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
MagnaChipChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
17 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.9 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
5.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.9mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
4.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Zemlja podrijetla
China
Detalji o proizvodu
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda