N-Channel MOSFET, 300 mA, 55 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSH121,135
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Zemlja podrijetla
Hong Kong
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Width
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Zemlja podrijetla
Hong Kong
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda