Nexperia N-Channel MOSFET, 870 mA, 30 V, 3-Pin SOT-323 PMF370XN,115
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
560 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
0.65 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
Standard
20
Cijena na upit
komadno (u pakiranju od 20) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Standard
20
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
870 mA
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
440 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Maximum Power Dissipation
560 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
0.65 nC @ 4.5 V
Width
1.35mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Malaysia
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda