N-Channel MOSFET, 5.1 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV45EN2R
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
PMV45EN2
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.6 nC @ 10 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Provjerite ponovno kasnije.
€ 0,12
Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 0,15
Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
€ 0,12
Each (On a Reel of 3000) (bez PDV-a)
€ 0,15
Each (On a Reel of 3000) (s PDV-om)
3000
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
PMV45EN2
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.6 nC @ 10 V
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda