N-Channel MOSFET, 47 A, 100 V, 3-Pin DPAK Nexperia PSMN025-100D,118
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Proizvodno pakiranje (kolut)
2
Cijena na upit
Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Proizvodno pakiranje (kolut)
2
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Tehnička dokumentacija
Tehnički podaci
Proizvođač
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
25 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
6.73mm
Width
6.22mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Height
2.38mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Zemlja podrijetla
Philippines
Detalji o proizvodu
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Zamisliti. Stvoriti. Surađivati
PRIDRUŽITE SE BESPLATNO
Bez skrivenih naknada!
- Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
- Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
- Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda