NXP BF556A,215 N-Channel JFET, 30 V, Idss 3 to 7mA, 3-Pin SOT-23

RS kataloški broj:: 166-0537robna marka: NXPProizvođački broj:: BF556A,215
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

3 to 7mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Height

1mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

NXP BF556A,215 N-Channel JFET, 30 V, Idss 3 to 7mA, 3-Pin SOT-23

P.O.A.

NXP BF556A,215 N-Channel JFET, 30 V, Idss 3 to 7mA, 3-Pin SOT-23
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

3 to 7mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Height

1mm

Width

1.4mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više