N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 3LN01C-TB-H

RS kataloški broj:: 145-5193robna marka: ON SemiconductorProizvođački broj:: 3LN01C-TB-H
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Width

1.5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.58 nC @ 10 V

Height

1.1mm

PRICED TO CLEAR

Yes

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 3LN01C-TB-H

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 150 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23 onsemi 3LN01C-TB-H
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

3000

Dostupno u više komada 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

12.8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Width

1.5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.58 nC @ 10 V

Height

1.1mm

PRICED TO CLEAR

Yes

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-Channel Power MOSFET, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više