N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU360N65S3R0

RS kataloški broj:: 178-4246robna marka: onsemiProizvođački broj:: FCU360N65S3R0
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

IPAK

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

6.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU360N65S3R0

75

Dostupno u više komada 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 10 A, 650 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU360N65S3R0
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

75

Dostupno u više komada 75
75P.O.A.
150P.O.A.
225P.O.A.
300P.O.A.
375P.O.A.
450P.O.A.
525P.O.A.
600P.O.A.
675P.O.A.
750P.O.A.
825P.O.A.
900P.O.A.
975P.O.A.
1050P.O.A.
1125P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

IPAK

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

360 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

83 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±30 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18 nC @ 10 V

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

6.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više