N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU850N80Z

RS kataloški broj:: 172-3430robna marka: ON SemiconductorProizvođački broj:: FCU850N80Z
brand-logo
Prikaži sve u MOSFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

IPAK

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V dc, ±30 V ac

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Height

7.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU850N80Z

1800

Dostupno u više komada 1800
1800P.O.A.
3600P.O.A.
5400P.O.A.
7200P.O.A.
9000P.O.A.
10800P.O.A.
12600P.O.A.
14400P.O.A.
16200P.O.A.
18000P.O.A.
19800P.O.A.
21600P.O.A.
23400P.O.A.
25200P.O.A.
27000P.O.A.

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V, 3-Pin IPAK onsemi FCU850N80Z
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

1800

Dostupno u više komada 1800
1800P.O.A.
3600P.O.A.
5400P.O.A.
7200P.O.A.
9000P.O.A.
10800P.O.A.
12600P.O.A.
14400P.O.A.
16200P.O.A.
18000P.O.A.
19800P.O.A.
21600P.O.A.
23400P.O.A.
25200P.O.A.
27000P.O.A.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Proizvođač

ON Semiconductor

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Maximum Drain Source Voltage

800 V

Package Type

IPAK

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

850 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V dc, ±30 V ac

Width

2.5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

6.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

22 nC @ 10 V

Height

7.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Zemlja podrijetla

China

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više