onsemi 2SK932-23-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 17mA, 3-Pin CP

RS kataloški broj:: 792-5173Probna marka: onsemiProizvođački broj:: 2SK932-23-TB-E
brand-logo
Prikaži sve u JFETs

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 17mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

3pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

KM 93,88

KM 0,939 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 109,84

KM 1,099 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK932-23-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 17mA, 3-Pin CP
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100KM 93,88
125KM 117,35
150KM 140,82
175KM 164,29
200KM 187,76
225KM 211,23
250KM 210,25
275KM 231,27
300KM 252,30
325KM 273,32
350KM 294,35
375KM 315,37
400KM 336,40
425KM 357,42
450KM 378,45

KM 93,88

KM 0,939 Each (Supplied on a Reel) (bez PDV-a)

KM 109,84

KM 1,099 Each (Supplied on a Reel) (s PDV-om)

onsemi 2SK932-23-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 17mA, 3-Pin CP
Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.
Odaberite vrstu pakovanja

Proizvodno pakovanje (kolut)

Odaberite vrstu pakovanja

Standard - each

Dostupno u više komada 25.

Proizvodnja -

Dostupno u više komada 25.

Preporuča se za narudžbu u velikim količinama. Predmeti su pakirani spremni za umetanje u strojeve, omogućujući vam da poboljšate učinkovitost proizvodnje.

100

Dostupno u više komada 25
100KM 93,88
125KM 117,35
150KM 140,82
175KM 164,29
200KM 187,76
225KM 211,23
250KM 210,25
275KM 231,27
300KM 252,30
325KM 273,32
350KM 294,35
375KM 315,37
400KM 336,40
425KM 357,42
450KM 378,45

Informacije o stanju skladišta trenutno nisu dostupne.

Provjerite ponovno kasnije.

količinaJedinična cijenaPo kolut
100 - 225KM 0,939KM 23,47
250 - 475KM 0,841KM 21,02
500 - 975KM 0,782KM 19,56
1000+KM 0,743KM 18,58

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više

Tehnička dokumentacija

Tehnički podaci

Brand

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 17mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

3pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Zemlja podrijetla

China

Detalji o proizvodu

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Zamisliti. Stvoriti. Surađivati

PRIDRUŽITE SE BESPLATNO

Bez skrivenih naknada!

design-spark
design-spark
  • Preuzmite i koristite naš softver DesignSpark za svoje PCB i 3D mehaničke dizajne
  • Pregledajte i doprinesite sadržaju internet stranice i foruma
  • Preuzmite 3D modele, sheme i otiske s više od milijun proizvoda
Kliknite ovdje kako biste saznali više